By Professor Dr.-Ing. Heinrich Klar (auth.)
Die Verwendung von Zellbibliotheken zur Synthese von Logikbausteinen ohne Verständnis der integrierten Schaltungstechniken MOS/BICMOS führt zu großen Chipflächen, hohen Verlustleistungen und niedrigen Taktzyklen. Dagegen führt dieses Buch in die wichtigsten Methoden und Prinzipien der integrierten MOS-/BICMOS-Schaltungstechnik ein. Der Leser wird in die Lage versetzt, für die jeweilige Anwendung die günstigste Schaltungstechnik auszuwählen und anzuwenden und so das optimale Ergebnis zu erzielen. Behandelt wird der Entwurf von digitalen, integrierten MOS/BICMOS-Bausteinen. In deutscher Sprache wird zum ersten Mal die technologieorientierte und die systemorientierte Schaltungstechnik gemeinsam und zusammenhängend dargestellt.
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Relationale Datenbanken: Eine Einführung für die Praxis
Die Fachbrosch}re gibt eine umfassende Einf}hrung in das Gebiet der relationalen Datenbanken. Bei der Datenmodellierung werden Abbildungsregeln zum ]berf}hren eines Entit{ten-Beziehungsmodells in ein relationales Datenbankschema behandelt, Normalformen diskutiert und ein unternehmensweites Datenmodell veranschaulicht.
- Wege der Wissenschaft: Einführung in die Wissenschaftstheorie
- Lehrbuch der Textilchemie: einschl. der textilchemischen Technologie
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Dadurch konnen die EingangsgroBen ihre physikalische Bedeutung verlieren. In den Level-2- oder Level-3-Transistormodellen von SPICE werden auch Kurzkanaleigenschaften beriicksichtigt. In diesen Modellen werden zusatzliche EingangsgroBen wie DELTA, KAPPA und ETA definiert, die Fittungsparameter sind. Wenn der jeweilige Parameter nicht spezifiziert wurde, werden Default-Werte vom Programm eingesetzt. 2 Liste der wichtigsten Parameter zur Modellierung eines MOS-Transistors [9) Symbol Name LEVEL Parameter Units Default Example Model index VTo VTO Zero-bias threshold voltage v 0,0 0,7 k' KP Transconductance parameter AN2 2,0E-5 6,0E-5 g GAMMA Bulk threshold parameter yin 0,0 0,37 Surface potential 2
Querschnitt durch das Substrat Zum Schutz der SiliziumoberfHiche wird thermisch oxidiertes Si02 (Barrierenoxid) auf dem gesamten Wafer erzeugt. 4). Die erste Fotomaske definiert nun die n-Wannen-Bereiche. Nach dem Belichten und Atzen des Fotolacks (Si3N4 bleibt unbeeinfluBt) werden durch die offenen Fenster Phosphorionen implantiert. Da die Ionenimplantation trotz hoher Teilchenenergie nicht tief genug in das Substrat reicht, miissen im nachfolgenden HochtemperaturprozeBschritt die Dotieratome mittels Diffusion in das Substrat eingetrieben werden.
A. zur Dotierung der n+- und p+-Diffusionsgebiete angewendet. 3 N-well CMOS-Proze8 Die in den letzten Kapiteln besprochenen Verfahren werden angewendet, urn integrierte MOS-Schaltungen herzustellen. Die Beschreibung des Herstellungsprozesses wird an dem Punkt begonnen, an dem einkristalline Scheiben mit einem Durchmesser von 4, 6 oder in Zukunft auch 8 Zoll vorliegen. ihrt. Weiter werden Reinigungen der Wafer nach jedem ProzeBschritt vorgenommen. igung. Sie ist fiir VLSI-Anwendungen die dominierende Technologie.